半导体单晶晶向测定方法GBT1555-2023.pdf

《半导体单晶晶向测定方法GBT1555-2023》讲解了两种用于测定半导体单品材料晶向的方法，具体是X射线衍射定向法和光图定向法。本文件明确了两种方法适用于不同的材料和表面取向特性，为提高测量的准确性和有效性提供了指导。X射线衍射定向法主要应用在检测硅、锗、砷化铟、碳化硅等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料上，这种方法依赖于材料的内部晶体结构特征，可以提供精确的数据以确定晶面方位。而光图定向法则更多针对硅和锗这两类材料，该方法依靠分析样品表面上由晶畴或其它周期结构反射的光线图案，通过对比参考图案来确定单晶片表面取向。文中列出了一些相关引用标准如GB/T2481.1,GB/T2481.2以及GB/T14264，强调这些标准文件中规定的规范与测试方法对当前晶向测量方法的影响。

《半导体单晶晶向测定方法GBT1555-2023》适用于需要精密检测半导体单晶晶向的相关科研实验室、制造厂家、质量监控部门及高等院校的研究机构。此文档对于参与设计与研发新一代半导体元件、改进现有器件性能的研究人员来说尤其重要。其内容能够帮助用户选择最合适的测量技术，并理解每种技术的优点与局限性，进而提高产品质量并推动技术创新。该规范为保障我国在电子行业中使用的半导体原材料的质量控制提供了一个有效的工具。