碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法GBT42905-2023.pdf

《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法GBT42905-2023》讲解了关于碳化硅外延层厚度测量中使用红外反射方法的相关要求。这份标准详细规定了采用波长在特定范围内（如8μm到14μm间）红外辐射测量SiC外延材料层厚度的方法步骤和技术规范。标准里对测量仪器设备进行了定义，强调了仪器需要有精确稳定的光源、灵敏度高的检测器，并且能够根据实际情况调整聚焦和采集参数。对于试样的准备工作同样给出了严格指示，包括试样表面应该无损伤无污染，尺寸形状符合规定以便更好地接受光照并且利于数据读取准确可靠等细节方面都作出具体说明。文件指出，在进行测试前要先进行必要的校准过程，以确保获得的数据是客观公正具有实际价值的信息，整个测试程序中对每一个影响因素均需考量，比如环境温湿度可能带来的偏差也被考虑进去，通过这种方法可以得到较为精准有效的碳化硅外延层厚度数值。

《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法GBT42905-2023》适用于涉及研发、生产和应用碳化硅相关产品的各个企业以及科研院所。这不仅针对专门从事该类型半导体材料生产的公司来说是一份关键指导文件，在微电子器件制造环节中也发挥着不可忽视的作用；同时，任何希望涉足这一领域的研究团队都能够从中受益，因为它为他们提供了严谨且可靠的测量技术，确保实验成果的真实性与准确性，有助于推动整个碳化硅产业向着更高质量的方向发展。