半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法GBT6616-2023.pdf
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半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法GBT6616-2023.pdf
《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法GBT6616-2023》讲解了针对半导体材料及其薄膜特性测试的方法规范，具体聚焦在使用非接触涡流法测量晶片电阻率和薄膜的薄层电阻。文档阐述了涡流探头的设计要求以及检测系统性能校准，包括温度控制条件等环境影响因素的处理，旨在提供高精度的测试环境。同时，详细列明了样品制备过程中的规范步骤，确保样本的一致性和代表性。对于测试过程中的误差来源进行了剖析并给出相应的解决方案或建议以降低不确定性。该标准强调测试结果表达需遵循一定的格式，并配套实例演示了从数据获取到处理的全过程，为使用者提供了清晰的操作流程与评判依据。
《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法GBT6616-2023》适用于半导体研发制造企业，尤其专注于硅、砷化镓等常用半导体材料的研究机构和个人。它同样适合于高等院校、科研院所等从事相关材料科学研究的部门，作为指导文件帮助实验人员规范测试操作流程，提升实验结果可靠性，促进研究成果标准化发展。对参与半导体器件性能评估及质量监控的技术人员具有重要参考价值，有助于建立和完善国内半导体材料特性参数的测量体系。
