硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法GBT1553-2023.pdf

《硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法GBT1553-2023》讲解了非本征硅单体和锗单体在载流子复合过程中，针对非平衡少数载流子寿命测定的专门测试方法。文件核心聚焦于通过光电导衰减这一调试技术来量化并分析非本征硅单品及锗单品材料内部少子（少数载流子）寿命特性。具体操作原理在于，利用特定光源激发样品，在非平衡条件下使材料中产生额外载流子对。随后切断光照，记录下因复合过程所引发的光电导响应随时间变化的趋势，由此精确测量得到从激发态返回基态的平均时间周期，该周期即为少数载流子寿命。这一过程对于评估材料质量以及预测其在不同环境下可能发生的性能波动意义非凡。由于载流子行为直接影响到电子元器件的工作稳定性和效能表现，因此采用规范准确的方法进行寿命参数检测显得尤为关键。

《硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法GBT1553-2023》适用于从事硅与锗半导体材料研发、制造及相关器件生产领域的科研工作者和技术人员。无论是在新产品开发阶段还是生产线质量管理控制流程之中，所有涉及到需深入了解或评价非本征硅单体及锗单体内非平衡少数载流子动力学性质的研究人员，皆可依据此文档提供的标准指南来进行可靠的测试操作。这对于提高我国在硅锗半导体基础原材料及其下游产业的技术水平和发展速度有着不可替代的作用。