宇航用抗辐射加固集成电路单元库设计要求GBT43228-2023.pdf

《宇航用抗辐射加固集成电路单元库设计要求GBT43288-2023》讲解了对宇航环境中特殊应用需求下，关于宇航用抗辐射加固集成电路单元库的各项规定。本文件阐述了在复杂的宇宙射线环境下，确保宇航运载工具与设备正常运行所必需的抗辐射加固技术。对于宇航用抗辐射加固集成电路单元库的构成，详细列出其各功能部分及相互之间关系；描述了如何建立辐射效应建模及其仿真过程，通过一系列严格的模拟测试来预测实际使用环境下的表现；明确了单元库设计的原则和流程，涵盖总体架构规划、电路特性分析到最终定型，强调了每个阶段需要关注的重点以及需遵循的具体规则；解释了设计套件的设计和验证标准，确保整个开发过程中有据可依，并且能够高效准确地进行质量检测；讲述了加固单元库整体验证的重要性及相关方法论；涉及手册编制规范，以便后续生产和技术交流可以有章可循。这一切旨在为后续基于体硅和SOI CMOS工艺制造的相关产品研发提供坚实的技术支持和理论保障。

《宇航用抗辐射加固集成电路单元库设计要求GBT43288-2023》适用于航空航天领域，尤其针对那些依赖于先进电子系统的飞行器或航天任务中的关键部位。该文档指导工程师们在使用特定体硅/SOI CMOS工艺进行宇航用抗辐射加固集成电路单元库设计时遵循统一的标准流程，保证产品的稳定性和可靠性，在研制前对拟采用的加固单元库进行全面且细致的评估。同时，它也适合作为相关院校或科研机构开展此类技术研究的重要参考依据，推动我国乃至世界范围内该领域的技术和工程应用的进步。