集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南GBZ 43510-2023.pdf

《集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南》讲解了硅通孔（TSV）三维封装工艺开发和验证的可靠性试验方法。文档提供了有关先通孔、中通孔及后通孔三种不同工艺流程的具体测试指导方案，明确了芯片-封装交互作用、叠层、凸点下金属、硅通孔等关键术语，并从定义出发对这些技术要点予以阐释。规范性引用文件列明多种国内外半导体器件试验标准，包括强加速稳态湿热试验、快速温度变化双液槽法等多类实验内容，并结合具体标准对TSV封装技术可能面临的问题提出解决建议。通过采用上述方法，可有效提升TSV三维封装的可靠性和整体性能水平，降低实际应用场景中的失效风险，确保在复杂的工艺过程中实现高质量的制造目标。

《集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南》适用于从事半导体器件研发、生产以及质量控制的专业领域，特别是与TSV三维封装相关的技术人员。这一文档能够为涉及先通孔、中通孔和后通孔制造工艺的单位提供指导，如半导体器件制造商、科研机构和设计企业等，同时也有助于国家相关行业标准体系构建，为制定和优化产业政策、促进科技创新与发展奠定基础。