电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法TCNS 81-2022.pdf

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文档编号：342198

上传时间：2024-07-22

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关键词：: 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法TCNS 81-2022 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法 TCNS 81 2022

资源简介：: 《电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法》讲解了采用质子对电荷耦合器件进行位移损伤效应辐照试验的一般要求、试验方法和程序。文档描述了术语和定义，并对规范性引用文件进行了详细列举，涵盖了从电离辐射防护与安全、静电控制到设备校准等多方面标准的引用。该文件具体规定了用于评估电荷耦合器件抗位移损伤能力的模拟试验，以确保其能应对因质子辐射造成的晶格位置上的原子移位。文中阐述了一般要求包括仪器与设备必须在校准有效期内使用，保证测量准确性，还提出了详细的环境条件以及辐射安全和防护措施，强调了试验人员需要在严格的防护条件下操作以避免辐射危害。在描述试验方法部分，《电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法》强调此为一种破坏性的检测手段，其目的在于获得器件在经历质子轰击之后电特性参数的变化程度，进而了解CCD材料对于特定能量下质子辐射位移损伤效应的实际抵御性能。

《电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法》适用于涉及空间技术和航空航天行业的机构及企业，尤其是在卫星制造或探测器开发等领域中需要用到电荷耦合器件的研究单位。它为这些领域提供了一个可靠且可复制的标准流程来测试和验证关键电子元件如CCD摄像头对宇宙环境潜在威胁因素的承受能力和可靠性。此外，本文件也可供相关教育机构和科研部门参考，在培养专门人才及推动科技进步过程中起到促进作用。通过遵循这份指导文献所制定的实验方案和安全守则，能够帮助从业者准确地评估和改进宇航级CCD产品面对长期太空任务可能遭受的各种极端条件时表现出的整体稳定性与鲁棒性。

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