宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法TCNS 82-2022.pdf

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文档编号：342234

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资源简介：: 《宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法》讲解了SRAM（Static Random-Access Memory）在总剂量辐射环境下的试验方法及评估标准，详细规范了设备和程序要求。文件描述了该测试的目的，在于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力，为设计加固措施提供数据支持和技术指导。文中列出了用于该试验的辐射源要求、测量系统的准确性需求以及测试平台的稳定性条件。特别指出了辐射效应中的术语如电离辐射总剂量效应、时间相关效应、氧化物陷阱电荷等，明确它们对于半导体性能的影响，并介绍移位测试、最恶劣偏置条件和测试图形的作用，以确保器件能够正确表征其在辐射条件下的行为。

《宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法》适用于从事航天电子产品开发、生产的单位以及进行抗辐射测试研究的科研机构。文档针对那些致力于研制具备高水平抗总剂量辐射能力的宇航用SRAM的专业人士提供了具体指南，包括但不限于卫星、运载火箭、深空探测等航天器内的数据处理系统和控制电路设计者。该试验方法还对需要理解SRAM受辐照后性能变化的技术人员有极大帮助，有助于提高产品质量和技术水平，增强我国航空航天领域中关键电子元器件的应用可靠性和安全性。

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